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FDMS86163P

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Produktcode: 177994
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
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20+3.75 EUR
27+2.73 EUR
29+2.49 EUR
33+2.23 EUR
50+2.04 EUR
100+1.97 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86163P-D.PDF MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
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1+5.14 EUR
10+3.47 EUR
100+2.24 EUR
500+2.11 EUR
3000+1.94 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
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1+6.02 EUR
10+3.52 EUR
100+2.85 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.24 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
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3+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.84 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14398 Stücke:
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 66 Stücke:
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONS/FAI fdms86163p-d.pdf MOSFET P-CH 100V 7.9A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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