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FDMS86163P

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDMS86163P FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
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100+3.59 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86163P FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
auf Bestellung 2471 Stücke:
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18+4.99 EUR
25+3.45 EUR
27+3.18 EUR
30+2.86 EUR
50+2.64 EUR
100+2.43 EUR
500+2.34 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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35+5.11 EUR
48+3.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FDMS86163P FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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35+5.11 EUR
48+3.56 EUR
100+2.31 EUR
500+2.17 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P onsemi fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
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1+7.44 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI fdms86163p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.9 EUR
50+4.83 EUR
100+3.59 EUR
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FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+2.12 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+2.12 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
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3000+2.48 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1721 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
242+2.73 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.36 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.74 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
250+2.75 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.59 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+2.76 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.44 EUR
18000+3.11 EUR
27000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
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100+3.59 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+4 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
auf Bestellung 2471 Stücke:
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18+4.99 EUR
25+3.45 EUR
27+3.18 EUR
30+2.86 EUR
50+2.64 EUR
100+2.43 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.11 EUR
48+3.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FDMS86163P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.11 EUR
48+3.56 EUR
100+2.31 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86163P
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 14149 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.44 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
3000+2.68 EUR
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FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.9 EUR
50+4.83 EUR
100+3.59 EUR
500+3.08 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 66 Stücke:
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