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FDMS86163P

FDMS86163P ON Semiconductor

fdms86163p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86163P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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20+3.66 EUR
24+3.03 EUR
31+2.32 EUR
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3000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86163P
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi fdms86163p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
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10+3.77 EUR
100+2.64 EUR
500+2.33 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86163p-d.pdf MOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
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100+2.83 EUR
250+2.55 EUR
500+2.27 EUR
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014467245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDMS86163P FDMS86163P Hersteller : ON Semiconductor fdms86163pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDMS86163P Hersteller : ONS fdms86163p-d.pdf Транз. Пол. N-MOSFET DFN-8 Udss=100V; Id=50 A; Pdmax=104W; Rds=22 mOhm
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1+14.08 EUR
10+12.32 EUR
100+10.56 EUR
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