Technische Details FDMS86180 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 138W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Weitere Produktangebote FDMS86180 nach Preis ab 4.02 EUR bis 16.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 21800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
auf Bestellung 5982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86180 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V |
auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86180 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 138W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86180 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 138W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86180 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 4.25 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 4.26 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 4.89 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 21800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 5.34 EUR |
| 500+ | 5 EUR |
| 1000+ | 4.62 EUR |
| 10000+ | 4.25 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 5.63 EUR |
| 500+ | 5.27 EUR |
| 1000+ | 4.87 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.25 EUR |
| 33+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 4.24 EUR |
| 500+ | 4.02 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
auf Bestellung 5982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.28 EUR |
| 10+ | 7.63 EUR |
| 100+ | 5.71 EUR |
| 500+ | 5.7 EUR |
| 1000+ | 5.15 EUR |
| 3000+ | 5.01 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.71 EUR |
| 10+ | 8.54 EUR |
| 100+ | 6.19 EUR |
| 500+ | 5.81 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.92 EUR |
| 50+ | 10.53 EUR |
| 100+ | 7.47 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| 1500+ | 6.59 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.92 EUR |
| 50+ | 10.53 EUR |
| 100+ | 7.47 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| 1500+ | 6.59 EUR |
| FDMS86180 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 8740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




