Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86183
FDMS86183

FDMS86183 ON Semiconductor

fdms86183-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS86183 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 63W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm.

Weitere Produktangebote FDMS86183 nach Preis ab 1.26 EUR bis 5.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86183 FDMS86183 ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 5188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 onsemi / Fairchild fdms86183-d.pdf MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 39070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.39 EUR
100+1.57 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 5188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
FDMS86183
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
377+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
FDMS86183
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
377+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
FDMS86183
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 5188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
FDMS86183
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 39070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.31 EUR
10+2.39 EUR
100+1.57 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
FDMS86183
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 5188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH