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FDMS86200

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86200 FDMS86200 onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
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10000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2999 Stücke:
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2999+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2999 Stücke
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FDMS86200 FDMS86200 ON-Semiconductor TFDMS86200_ON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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48+3.59 EUR
100+2.03 EUR
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FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.16 EUR
48+3.53 EUR
100+1.98 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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FDMS86200 FDMS86200 onsemi / Fairchild FDMS86200-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86200 FDMS86200 onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
auf Bestellung 5168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.12 EUR
100+2.86 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.28 EUR
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.13 EUR
250+2.14 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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FDMS86200 ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86200
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.77 EUR
56+4.15 EUR
100+3.06 EUR
500+2.55 EUR
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2001000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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103+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+1.82 EUR
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+1.84 EUR
6000+1.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
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963+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 963 Stücke
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FDMS86200
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 914 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
60+2.9 EUR
70+2.42 EUR
100+1.73 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 645 Stücke:
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500+2.73 EUR
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auf Bestellung 39000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
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FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2999+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2999 Stücke
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FDMS86200
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.13 EUR
48+3.59 EUR
100+2.03 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86200
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86200
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
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