FDMS86200 ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Technische Details FDMS86200 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
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FDMS86200 Produktcode: 185473
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86200 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS86200 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS86200 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
auf Bestellung 20204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86200 | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86200 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
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