
FDMS86200 ON Semiconductor
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 1.53 EUR |
6000+ | 1.42 EUR |
9000+ | 1.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS86200 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86200 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS86200 Produktcode: 185473
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2001000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 8527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 11136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
FDMS86200 | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86200 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |