Produkte > ONSEMI > FDMS86202ET120
FDMS86202ET120

FDMS86202ET120 onsemi

fdms86202et120-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS86202ET120 onsemi

Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V.

Weitere Produktangebote FDMS86202ET120 nach Preis ab 6.14 EUR bis 14.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 ONSEMI FAIR-S-A0002363668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 onsemi fdms86202et120-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
auf Bestellung 8545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.54 EUR
10+8.46 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 onsemi fdms86202et120-d.pdf MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+9.72 EUR
100+7.79 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120 FAIR-S-A0002363668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS86202ET120
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120 fdms86202et120-d.pdf
FDMS86202ET120
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
auf Bestellung 8545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.54 EUR
10+8.46 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120 fdms86202et120-d.pdf
FDMS86202ET120
Hersteller: onsemi
MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.49 EUR
10+9.72 EUR
100+7.79 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH