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FDMS86252

FDMS86252 onsemi

fdms86252-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
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Technische Details FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

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FDMS86252 FDMS86252 Hersteller : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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FDMS86252 FDMS86252 Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86252-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86252 FDMS86252 Hersteller : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86252 Hersteller : ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86252 Hersteller : ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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