FDMS86263P ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 2.02 EUR |
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Technische Details FDMS86263P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMS86263P nach Preis ab 1.7 EUR bis 6.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
auf Bestellung 2944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
auf Bestellung 3765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |