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FDMS86263P

FDMS86263P ON Semiconductor

fdms86263p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86263P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86263p-d.pdf MOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
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10+4.35 EUR
25+4.31 EUR
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : ONSEMI 2552628.pdf Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : ON Semiconductor fdms86263p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86263P Hersteller : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86263P FDMS86263P Hersteller : onsemi fdms86263p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
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FDMS86263P Hersteller : ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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