FDMS86310

FDMS86310 ON Semiconductor


fdms86310-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86310 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.

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FDMS86310 FDMS86310 Hersteller : onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
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FDMS86310 FDMS86310 Hersteller : onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
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FDMS86310 FDMS86310 Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86310-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86310 Hersteller : ONSEMI fdms86310-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86310 Hersteller : ONSEMI fdms86310-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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