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FDMS86350

FDMS86350 ON Semiconductor

fdms86350d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86350 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDMS86350 FDMS86350 ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
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500+4.56 EUR
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FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86350 FDMS86350 onsemi / Fairchild fdms86350-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86350 FDMS86350 onsemi fdms86350-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
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FDMS86350 FDMS86350 ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
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Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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50+3.83 EUR
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200+2.89 EUR
500+2.75 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86350
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.44 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.31 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
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24+7.62 EUR
34+5.13 EUR
100+3.65 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.62 EUR
34+5.25 EUR
100+3.8 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.08 EUR
30+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDMS86350
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Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.08 EUR
30+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
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100+5.44 EUR
500+4.56 EUR
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