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FDMS86350ET80

FDMS86350ET80 ON Semiconductor

fdms86350et80jp-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
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Technische Details FDMS86350ET80 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 187W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 ONSEMI 2907379.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.84 EUR
250+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.46 EUR
26+6.7 EUR
100+5.59 EUR
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi / Fairchild FDMS86350ET80-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+7.46 EUR
100+6.47 EUR
1000+6.37 EUR
3000+5.89 EUR
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi fdms86350et80-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2664 Stücke:
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1+13.57 EUR
10+9.13 EUR
100+7.14 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.53 EUR
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 ONSEMI 2907379.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
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18+14.29 EUR
19+12.88 EUR
22+10.12 EUR
50+8.57 EUR
100+7.84 EUR
250+7.31 EUR
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4555 Stücke:
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10+9.96 EUR
100+7.27 EUR
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FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FDMS86350ET80
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
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FDMS86350ET80
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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250+7.31 EUR
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FDMS86350ET80
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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26+6.7 EUR
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MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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100+6.47 EUR
1000+6.37 EUR
3000+5.89 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.57 EUR
10+9.13 EUR
100+7.14 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.53 EUR
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FDMS86350ET80
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.29 EUR
19+12.88 EUR
22+10.12 EUR
50+8.57 EUR
100+7.84 EUR
250+7.31 EUR
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FDMS86350ET80
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.71 EUR
10+9.96 EUR
100+7.27 EUR
500+7.06 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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