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FDMS86500DC

FDMS86500DC ON Semiconductor

fdms86500dc-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
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Technische Details FDMS86500DC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : onsemi fdms86500dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : onsemi fdms86500dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86500dc-d.pdf MOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
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FDMS86500DC FDMS86500DC Hersteller : ON Semiconductor 3676939609231886fdms86500dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
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FDMS86500DC Hersteller : ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86500DC Hersteller : ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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