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FDMS86540

FDMS86540 onsemi

fdms86540-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details FDMS86540 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 96W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Weitere Produktangebote FDMS86540 nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86540 FDMS86540 onsemi / Fairchild fdms86540-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.34 EUR
100+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86540 FDMS86540 onsemi fdms86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 27443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMS86540 FDMS86540 ONSEMI 2554402.pdf Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86540 FDMS86540 ONSEMI 2554402.pdf Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86540 ON Semiconductor fdms86540-d.pdf
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMS86540
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6648 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.19 EUR
10+2.34 EUR
100+1.86 EUR
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1000+1.58 EUR
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Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDMS86540
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
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FDMS86540
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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