FDMS86550

FDMS86550 ON Semiconductor


fdms86550cn-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86550 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMS86550 FDMS86550 Hersteller : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86550 FDMS86550 Hersteller : onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
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FDMS86550 FDMS86550 Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86550-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
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FDMS86550 Hersteller : ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1021A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS86550 Hersteller : ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 154nC
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