FDMS86550ET60 ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86550ET60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86550ET60 nach Preis ab 5.39 EUR bis 12.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86550ET60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
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| FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A Pulsed drain current: 1068A Power dissipation: 187W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 154nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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