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FDMS86550ET60

FDMS86550ET60 ON Semiconductor

fdms86550et60jp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
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Technische Details FDMS86550ET60 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ON Semiconductor fdms86550et60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86550et60-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ON Semiconductor fdms86550et60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ON Semiconductor fdms86550et60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
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FDMS86550ET60 Hersteller : ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : onsemi fdms86550et60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : onsemi fdms86550et60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V
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FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 Hersteller : ON Semiconductor fdms86550et60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
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FDMS86550ET60 Hersteller : ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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