auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 14.9 EUR |
| 10+ | 13.68 EUR |
| 25+ | 13.6 EUR |
| 100+ | 11.86 EUR |
| 250+ | 11.8 EUR |
| 500+ | 10.58 EUR |
| 1000+ | 9.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS86550ET60 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm.
Weitere Produktangebote FDMS86550ET60 nach Preis ab 9.77 EUR bis 17.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86550ET60 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
FDMS86550ET60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FDMS86550ET60 | Hersteller : ONSEMI |
FDMS86550ET60 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
FDMS86550ET60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |