Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8680
FDMS8680

FDMS8680 ON Semiconductor

3664447834987176fdms8680.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.55 EUR
272+0.53 EUR
274+0.50 EUR
275+0.48 EUR
276+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS8680 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDMS8680 nach Preis ab 0.52 EUR bis 3.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.77 EUR
215+0.66 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
178+0.83 EUR
192+0.75 EUR
215+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.26 EUR
167+0.86 EUR
169+0.81 EUR
172+0.77 EUR
174+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.43 EUR
10+3.08 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS8680_D-1808058.pdf MOSFETs 30V N-CHANNEL
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.82 EUR
10+2.68 EUR
100+2.02 EUR
250+1.76 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 Hersteller : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 FDMS8680 Hersteller : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 Hersteller : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH