FDMT800100DC ON Semiconductor
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 7.98 EUR |
| 100+ | 7.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMT800100DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMT800100DC nach Preis ab 5.57 EUR bis 10.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMT800100DC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO |
auf Bestellung 2251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |