Produkte > ONSEMI > FDMT800120DC
FDMT800120DC

FDMT800120DC onsemi

fdmt800120dc-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMT800120DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm.

Weitere Produktangebote FDMT800120DC nach Preis ab 6.26 EUR bis 19.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMT800120DC FDMT800120DC onsemi / Fairchild FDMT800120DC-D.pdf MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+7.83 EUR
100+7.52 EUR
1000+6.53 EUR
3000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC FDMT800120DC onsemi fdmt800120dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
10+9.64 EUR
100+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC FDMT800120DC onsemi fdmt800120dc-d.pdf MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+11.13 EUR
100+8.16 EUR
1000+7.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC FDMT800120DC ONSEMI ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
16+15.39 EUR
19+11.57 EUR
50+11.48 EUR
100+8.95 EUR
250+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC FDMT800120DC ONSEMI ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
16+15.39 EUR
19+11.57 EUR
50+11.48 EUR
100+8.95 EUR
250+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC FDMT800120DC-D.pdf
FDMT800120DC
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.47 EUR
10+7.83 EUR
100+7.52 EUR
1000+6.53 EUR
3000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
FDMT800120DC
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.2 EUR
10+9.64 EUR
100+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
FDMT800120DC
Hersteller: onsemi
MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.28 EUR
10+11.13 EUR
100+8.16 EUR
1000+7.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMT800120DC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.65 EUR
16+15.39 EUR
19+11.57 EUR
50+11.48 EUR
100+8.95 EUR
250+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC ONSM-S-A0017607146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMT800120DC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.65 EUR
16+15.39 EUR
19+11.57 EUR
50+11.48 EUR
100+8.95 EUR
250+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH