FDMT800120DC onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FDMT800120DC onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMT800120DC nach Preis ab 5.42 EUR bis 10.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMT800120DC | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V |
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FDMT800120DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMT800120DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT800120DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMT800120DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMT800120DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V |
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| FDMT800120DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8 Case: DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 107nC On-state resistance: 7.7mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 81A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 767A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
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