FDMT80040DC ON Semiconductor
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Technische Details FDMT80040DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Dual Cool PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMT80040DC nach Preis ab 4.98 EUR bis 11.33 EUR
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FDMT80040DC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMT80040DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V |
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FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMT80040DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMT80040DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMT80040DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V |
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FDMT80040DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8 Case: DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 338nC On-state resistance: 0.9mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 265A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 2644A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
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