FDMT80080DC

FDMT80080DC onsemi / Fairchild


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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
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Technische Details FDMT80080DC onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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FDMT80080DC FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 254A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FDMT80080DC FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
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