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FDMT80080DC

FDMT80080DC onsemi

fdmt80080dc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
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Technische Details FDMT80080DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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40+3.50 EUR
100+3.31 EUR
250+3.13 EUR
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : onsemi fdmt80080dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : onsemi / Fairchild FDMT80080DC_D-2312528.pdf MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5384 Stücke:
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : ON Semiconductor 3663403802257979fdmt80080dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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FDMT80080DC FDMT80080DC Hersteller : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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FDMT80080DC Hersteller : ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMT80080DC Hersteller : ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
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