FDMT80080DC ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 38+ | 3.8 EUR |
| 39+ | 3.61 EUR |
| 40+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.06 EUR |
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Technische Details FDMT80080DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMT80080DC nach Preis ab 2.71 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMT80080DC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
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FDMT80080DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
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FDMT80080DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
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FDMT80080DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET |
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FDMT80080DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
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FDMT80080DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMT80080DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMT80080DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMT80080DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMT80080DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
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| FDMT80080DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8 Case: DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 273nC On-state resistance: 2.22mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 160A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 1453A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
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