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FDN302P

FDN302P onsemi

FDN302P-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
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Technische Details FDN302P onsemi

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
299+0.48 EUR
524+0.27 EUR
529+0.25 EUR
535+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 299
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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223+0.65 EUR
321+0.43 EUR
581+0.23 EUR
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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207+0.7 EUR
296+0.47 EUR
299+0.45 EUR
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534+0.23 EUR
540+0.22 EUR
1000+0.13 EUR
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FDN302P FDN302P Hersteller : onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
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4+0.82 EUR
10+0.57 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
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FDN302P FDN302P Hersteller : onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.84 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
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FDN302P FDN302P Hersteller : ONSEMI FDN302P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDN302P FDN302P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN302P FDN302P
Produktcode: 31343
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Hersteller : Fairchild FDN302P.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 2.4
Rds(on),Om: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
/: SMD
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FDN302P Hersteller : ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
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FDN302P FDN302P Hersteller : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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