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Technische Details FDN308P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Weitere Produktangebote FDN308P nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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FDN308P | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V |
auf Bestellung 6119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDN308P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.38 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 0.71 EUR |
| 373+ | 0.46 EUR |
| 402+ | 0.43 EUR |
| 509+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 6119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.82 EUR |
| 10+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 161+ | 1.09 EUR |
| 245+ | 0.69 EUR |
| 248+ | 0.67 EUR |
| 373+ | 0.42 EUR |
| 402+ | 0.38 EUR |
| 509+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.59 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.7 EUR |
| 237+ | 0.98 EUR |
| 365+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| FDN308P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.7 EUR |
| 237+ | 0.98 EUR |
| 365+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |