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FDN327N

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Produktcode: 176408
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN327N FDN327N onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
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FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
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FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2698+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
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FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
158+0.54 EUR
177+0.49 EUR
228+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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FDN327N FDN327N onsemi FDN327N-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDN327N FDN327N onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 65003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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FDN327N FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDN327N FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDN327N Fairchild/ON Semiconductor FDN327N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2973 Stücke:
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FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN327N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2698+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2698+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
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FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2698+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2698 Stücke
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FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+0.79 EUR
158+0.54 EUR
177+0.49 EUR
228+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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FDN327N FDN327N-D.PDF
FDN327N
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 65003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2973 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH