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FDN327N

FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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12000+0.14 EUR
27000+0.13 EUR
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FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
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3000+0.17 EUR
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FDN327N FDN327N Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
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84+0.21 EUR
132+0.13 EUR
216+0.082 EUR
500+0.059 EUR
1000+0.052 EUR
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N FDN327N Hersteller : FAIRCHILD fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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633+0.22 EUR
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FDN327N FDN327N Hersteller : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
167+0.43 EUR
201+0.36 EUR
304+0.24 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 524 Stücke:
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Anzahl Preis
122+0.59 EUR
167+0.43 EUR
201+0.36 EUR
304+0.24 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
219+0.67 EUR
370+0.38 EUR
373+0.36 EUR
633+0.21 EUR
656+0.19 EUR
693+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.81 EUR
40+0.44 EUR
100+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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FDN327N FDN327N Hersteller : onsemi / Fairchild fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
auf Bestellung 32672 Stücke:
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4+0.84 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN327N
Produktcode: 176408
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FDN327N FDN327N Hersteller : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDN327N FDN327N Hersteller : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
auf Bestellung 2973 Stücke:
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FDN327N FDN327N Hersteller : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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