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Technische Details FDN335N ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN335N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V |
auf Bestellung 21518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 N-CH 20V |
auf Bestellung 121265 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 48148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 48148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN335N | Hersteller : UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V |
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FDN335N | Hersteller : UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V |
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