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FDN335N

FDN335N ON Semiconductor

fdn335n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDN335N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi FDN335N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
15000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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240+0.6 EUR
362+0.39 EUR
365+0.37 EUR
484+0.27 EUR
494+0.25 EUR
555+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 240
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FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.72 EUR
299+0.47 EUR
450+0.3 EUR
549+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi / Fairchild FDN335N_D-2312862.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
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4+0.83 EUR
10+0.56 EUR
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3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDN335N FDN335N Hersteller : onsemi FDN335N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
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Anzahl Preis
20+0.88 EUR
30+0.59 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor 2709873713769144fdn335n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI FDN335N-D.PDF Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI 2298243.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDN335N FDN335N Hersteller : ON Semiconductor 2709873713769144fdn335n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN335N FDN335N Hersteller : ONSEMI FDN335N-D.PDF Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
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FDN335N Hersteller : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN335N Hersteller : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
27000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN335N Hersteller : Aptina Imaging FDN335N-D.PDF Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.4 EUR
484+0.29 EUR
494+0.27 EUR
555+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.16 EUR
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FDN335N Hersteller : ON-Semicoductor FDN335N-D.PDF N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 50
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FDN335N Hersteller : ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
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