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FDN335N ON Semiconductor

Name: FDN335N
Brand: ON Semiconductor
SKU: 171437-5
Price: 570 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details FDN335N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDN335N nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.95 EUR

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Bezeichnung

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Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

FDN335N

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

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FDN335N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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362+	0.39 EUR
365+	0.37 EUR
484+	0.27 EUR
494+	0.25 EUR
555+	0.22 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 240

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FDN335N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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549+	0.24 EUR
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FDN335N

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V

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4+	0.83 EUR
10+	0.56 EUR
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500+	0.30 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.22 EUR
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FDN335N

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

auf Bestellung 17222 Stücke:

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19+	0.95 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.40 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.30 EUR

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FDN335N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDN335N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 35088 Stücke:

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FDN335N

Hersteller : ONSEMI

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FDN335N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDN335N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 27000 Stücke:

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FDN335N

Hersteller : Aptina Imaging

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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FDN335N

Hersteller : Aptina Imaging

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.20 EUR
12000+	0.19 EUR
27000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDN335N

Hersteller : Aptina Imaging

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3253 Stücke:

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365+	0.40 EUR
484+	0.29 EUR
494+	0.28 EUR
555+	0.24 EUR
1000+	0.20 EUR
3000+	0.16 EUR

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FDN335N

Hersteller : ONSEMI

FDN335N SMD N channel transistors

auf Bestellung 2369 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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117+	0.61 EUR
305+	0.23 EUR
325+	0.22 EUR

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FDN335N

Hersteller : ON-Semicoductor

N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
50+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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