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FDN337N

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.12 EUR
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FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
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FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
12000+0.3 EUR
27000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N FDN337N ON-Semiconductor info-tfdn337n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
auf Bestellung 8703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
147+0.58 EUR
166+0.51 EUR
229+0.37 EUR
258+0.33 EUR
296+0.29 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.84 EUR
306+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
209+0.81 EUR
306+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDN337N FDN337N onsemi / Fairchild FDN337N-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 48051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.34 EUR
180+0.94 EUR
263+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 65941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
216+1.08 EUR
315+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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FDN337N FDN337N ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
216+1.08 EUR
315+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 323686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N Fairchild/ON Semiconductor FDN337N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
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FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.12 EUR
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FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
12000+0.3 EUR
27000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN337N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N info-tfdn337n.pdf
FDN337N
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 9nC
auf Bestellung 8703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+0.68 EUR
147+0.58 EUR
166+0.51 EUR
229+0.37 EUR
258+0.33 EUR
296+0.29 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.84 EUR
306+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.15 EUR
209+0.81 EUR
306+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN337N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 48051 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.17 EUR
10+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN337N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.34 EUR
180+0.94 EUR
263+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN337N
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 65941 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.51 EUR
10+0.94 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
216+1.08 EUR
315+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N 2304556.pdf
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
216+1.08 EUR
315+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N fdn337n-d.pdf
FDN337N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 323686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Очікується: 550 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH