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FDN337N

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN337N FDN337N Hersteller : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
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3000+0.3 EUR
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21000+0.24 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN337N FDN337N Hersteller : Fairchild info-tfdn337n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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306+0.46 EUR
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3000+0.23 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.22 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : onsemi / Fairchild FDN337N-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
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500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : ON Semiconductor fdn337n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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263+0.51 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : onsemi fdn337n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
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3000+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N Hersteller : onsemi fdn337n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
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500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
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FDN337N FDN337N Hersteller : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N Hersteller : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
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FDN337N FDN337N Hersteller : ONSEMI 2304556.pdf Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor FDN337N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDN337N Hersteller : ONS/FAI FDN337N.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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