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FDN340P

FDN340P ON Semiconductor

fdn340p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details FDN340P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDN340P FDN340P Hersteller : onsemi fdn340p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.20 EUR
6000+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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FDN340P FDN340P Hersteller : ON Semiconductor fdn340p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
655+0.22 EUR
661+0.21 EUR
668+0.20 EUR
702+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 655
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FDN340P FDN340P Hersteller : ON Semiconductor fdn340p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7737 Stücke:
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Anzahl Preis
543+0.27 EUR
620+0.23 EUR
655+0.21 EUR
661+0.20 EUR
668+0.19 EUR
702+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 543
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FDN340P FDN340P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
179+0.40 EUR
234+0.31 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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FDN340P FDN340P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
179+0.40 EUR
234+0.31 EUR
407+0.18 EUR
428+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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FDN340P FDN340P Hersteller : onsemi / Fairchild fdn340p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+0.84 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDN340P FDN340P Hersteller : onsemi fdn340p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 15487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.88 EUR
31+0.57 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDN340P FDN340P Hersteller : ONSEMI fdn340p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 118606 Stücke:
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FDN340P FDN340P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 118786 Stücke:
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FDN340P FDN340P Hersteller : ONSEMI 2298381.pdf Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 87000 Stücke:
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FDN340P FDN340P Hersteller : ON Semiconductor fdn340p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351000 Stücke:
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FDN340P Hersteller : On Semiconductor fdn340p-d.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
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Produktcode: 191356
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