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Technische Details FDN342P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDN342P nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V |
auf Bestellung 7281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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