Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDN357N
FDN357N

FDN357N ON Semiconductor

fdn357n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDN357N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote FDN357N nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.20 EUR
24000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
45000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.20 EUR
24000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
45000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
12000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
12000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
45000+0.35 EUR
90000+0.32 EUR
135000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
262+0.59 EUR
357+0.42 EUR
377+0.38 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 262
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
211+0.74 EUR
245+0.61 EUR
262+0.55 EUR
357+0.39 EUR
377+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
133+0.54 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
133+0.54 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 27762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.47 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : onsemi / Fairchild fdn357n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 16959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.17 EUR
10+0.72 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ONSEMI fdn357n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N Hersteller : ON Semiconductor 3651547452024877fdn357n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH