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FDN357N

FDN357N ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDN357N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN357N FDN357N ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
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3000+0.49 EUR
9000+0.44 EUR
24000+0.39 EUR
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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262+0.68 EUR
357+0.49 EUR
377+0.45 EUR
500+0.37 EUR
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FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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245+0.7 EUR
262+0.63 EUR
357+0.44 EUR
377+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
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FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
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10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 74878 Stücke:
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13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 15671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
250+0.93 EUR
284+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.9nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 46 Stücke:
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FDN357N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
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9000+0.23 EUR
24000+0.21 EUR
30000+0.2 EUR
45000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN357N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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9000+0.24 EUR
24000+0.23 EUR
45000+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
6000+0.29 EUR
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FDN357N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDN357N
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Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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12000+0.31 EUR
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FDN357N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.46 EUR
45000+0.42 EUR
90000+0.38 EUR
135000+0.35 EUR
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FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.49 EUR
9000+0.44 EUR
24000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN357N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
262+0.68 EUR
357+0.49 EUR
377+0.45 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN357N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
211+0.84 EUR
245+0.7 EUR
262+0.63 EUR
357+0.44 EUR
377+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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FDN357N
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDN357N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 74878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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114+2.2 EUR
250+0.93 EUR
284+0.76 EUR
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FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.9nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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