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FDN358P

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Produktcode: 36466
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN358P FDN358P ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
12000+0.29 EUR
24000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN358P FDN358P ON-Semiconductor info-tfdn358p.pdf P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDN358P FDN358P onsemi / Fairchild FDN358P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 62768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDN358P FDN358P ONSEMI FDN358P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+1 EUR
358+0.65 EUR
445+0.48 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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FDN358P FDN358P ONSEMI 2304441.pdf Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 15845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
272+0.86 EUR
387+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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FDN358P FDN358P ON Semiconductor fdn358p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN358P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN358P
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDN358P FDN358P-D.PDF
FDN358P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 62768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
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FDN358P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32110 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
252+1 EUR
358+0.65 EUR
445+0.48 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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FDN358P 2304441.pdf
FDN358P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 15845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.58 EUR
272+0.86 EUR
387+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P fdn358p-d.pdf
FDN358P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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