auf Bestellung 4248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 743+ | 0.20 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDN359AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDN359AN nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN359AN | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
auf Bestellung 10036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V |
auf Bestellung 17115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 51903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 57927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| FDN359AN | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FDN359AN | Hersteller : ONSEMI |
FDN359AN SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2775 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |