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FDN359AN

FDN359AN UMW

4c42519c476c5e11803f699a566db8eb.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
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Technische Details FDN359AN UMW

Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN359AN FDN359AN ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN359AN FDN359AN ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
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FDN359AN FDN359AN FAIRCHILD fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159624 Stücke:
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2011+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
100000+0.24 EUR
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FDN359AN FDN359AN ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8621 Stücke:
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2011+0.32 EUR
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FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359AN FDN359AN ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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386+0.45 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
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FDN359AN FDN359AN Fairchild info-tfdn359an.pdf N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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FDN359AN FDN359AN UMW 4c42519c476c5e11803f699a566db8eb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
auf Bestellung 2269 Stücke:
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29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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FDN359AN FDN359AN ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.98 EUR
126+0.68 EUR
191+0.45 EUR
226+0.38 EUR
277+0.31 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf 4c42519c476c5e11803f699a566db8eb.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 15065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 15044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
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FDN359AN FDN359AN ONSEMI ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 21568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
246+0.94 EUR
387+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDN359AN FDN359AN ONSEMI ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 21568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
246+0.94 EUR
387+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDN359AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
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FDN359AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359AN
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2011+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
100000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2011 Stücke
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FDN359AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2011+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2011 Stücke
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FDN359AN fdn359an-d.pdf
FDN359AN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
386+0.45 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
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FDN359AN
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN 4c42519c476c5e11803f699a566db8eb.pdf
FDN359AN
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+0.98 EUR
126+0.68 EUR
191+0.45 EUR
226+0.38 EUR
277+0.31 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN fdn359an-d.pdf 4c42519c476c5e11803f699a566db8eb.pdf
FDN359AN
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 15065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN fdn359an-d.pdf
FDN359AN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 15044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 21568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.65 EUR
246+0.94 EUR
387+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 21568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.65 EUR
246+0.94 EUR
387+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH