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FDN360P

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Produktcode: 75653
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN360P FDN360P Hersteller : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdn360p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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FDN360P FDN360P Hersteller : ONS/FAI FDN360P.pdf SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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FDN360P FDN360P Hersteller : ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
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143+0.5 EUR
165+0.43 EUR
234+0.31 EUR
271+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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500+0.49 EUR
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FDN360P FDN360P Hersteller : onsemi / Fairchild FDN360P-D.PDF MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
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10+0.6 EUR
100+0.34 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDN360P FDN360P Hersteller : onsemi fdn360p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
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500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
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FDN360P FDN360P Hersteller : onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
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28+0.64 EUR
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500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
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FDN360P FDN360P Hersteller : ON Semiconductor fdn360p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN360P FDN360P Hersteller : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 125360 Stücke:
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FDN360P FDN360P Hersteller : ONSEMI fdn360p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDN360P Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor FDN360P-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 298 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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