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Technische Details FDN5618P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote FDN5618P nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.02 EUR
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FDN5618P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V |
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FDN5618P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V |
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FDN5618P | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH 60V |
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FDN5618P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
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FDN5618P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
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FDN5618P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN5618P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
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FDN5618P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
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