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FDN5618P

FDN5618P onsemi

fdn5618p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 59330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Technische Details FDN5618P onsemi

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDN5618P nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN5618P FDN5618P ONSEMI FDN5618P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Gate charge: 13.8nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.46W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
265+0.27 EUR
311+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P onsemi / Fairchild FDN5618P_D-2312834.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
auf Bestellung 40190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.58 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 59344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 185804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 185804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P ElecSuper fdn5618p-d.pdf 60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P FDN5618P.pdf
FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Gate charge: 13.8nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.46W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
265+0.27 EUR
311+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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FDN5618P FDN5618P_D-2312834.pdf
FDN5618P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
auf Bestellung 40190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.69 EUR
10+0.58 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 59344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 185804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 185804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Hersteller: ElecSuper
60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH