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FDN5618P

FDN5618P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDN5618P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
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6000+0.32 EUR
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FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
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10+1.19 EUR
100+0.74 EUR
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FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 127924 Stücke:
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142+1.76 EUR
314+0.74 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.44 EUR
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FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 127924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
314+0.74 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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FDN5618P ON-Semiconductor fdn5618p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1518 Stücke:
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100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 324000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 324000 Stücke:
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FDN5618P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
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MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
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10+1.19 EUR
100+0.74 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 127924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
314+0.74 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 127924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
314+0.74 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH