FDN5630

FDN5630 ON Semiconductor


fdn5630-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDN5630 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDN5630 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3283+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3283
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 7220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
379+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
379+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630
Produktcode: 208281
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fdn5630-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : onsemi / Fairchild fdn5630-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
auf Bestellung 32114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 7220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 156175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 159759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 Hersteller : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH