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FDN5630

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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9000+0.14 EUR
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5630 FDN5630 onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630 FDN5630 ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
149+0.57 EUR
217+0.39 EUR
257+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
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FDN5630 FDN5630 onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 20492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
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FDN5630 FDN5630 ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 142116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
274+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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FDN5630 FDN5630 ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 142116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
274+0.84 EUR
430+0.5 EUR
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FDN5630 FDN5630 onsemi fdn5630-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
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2+2.01 EUR
10+1.39 EUR
100+0.88 EUR
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FDN5630 FDN5630 ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11550 Stücke:
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772+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 772 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2750+0.24 EUR
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FDN5630
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+0.79 EUR
149+0.57 EUR
217+0.39 EUR
257+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 fdn5630-d.pdf
FDN5630
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 20492 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 2303966.pdf
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 142116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1.42 EUR
274+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 2303966.pdf
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 142116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1.42 EUR
274+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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FDN5630
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.01 EUR
10+1.39 EUR
100+0.88 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDN5630
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LTC4252-2CMS8#PBF
Produktcode: 208284
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992
Produktcode: 117038
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FDS3992
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Rundzange PM-736
Produktcode: 27759
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description product_detail.asp?catid=2&itemid=PM-736
Rundzange PM-736
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Zangen, Seitenschneider, Flachzangen, Kneifzangen
Typ: Rundzange
Beschreibung: Rundzange mit Riffelung, Länge Backen 20mm, Material: Stahl S45C, Härte: HRC 50 3, Gesamt Länge 131mm
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Seitenschneider 1PK-067DS
Produktcode: 22868
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Seitenschneider 1PK-067DSSeitenschneider 1PK-067DS
Seitenschneider 1PK-067DSSeitenschneider 1PK-067DS
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Zangen, Seitenschneider, Flachzangen, Kneifzangen
Typ: Seitenschneider, Kneifzangen
Beschreibung: Seitenschneider (Kneifzange) groß 165mm, V-förmig.Schnitt, für Draht bis 2,6mm
8203 20 1000
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