auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDN5630 UMW
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDN5630 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN5630 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN5630 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN5630 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V |
auf Bestellung 22176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FDN5630 Produktcode: 208281
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 34601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FDN5630 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 142116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 142116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN5630 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |