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FDPF12N60NZ

FDPF12N60NZ ON Semiconductor

fdpf12n60nz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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52+2.74 EUR
77+1.79 EUR
100+1.63 EUR
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Technische Details FDPF12N60NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
40+1.83 EUR
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
4+4.65 EUR
50+2.31 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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