Produkte > ONSEMI > FDS2672
FDS2672

FDS2672 onsemi

FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS2672 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote FDS2672 nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS2672 FDS2672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS2672_D-2312663.pdf MOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 535-539 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+2.68 EUR
100+2.15 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 FDS2672 Hersteller : onsemi FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 39323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 FDS2672 Hersteller : ON Semiconductor 3648356060546910fds2672.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 FDS2672 Hersteller : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 FDS2672 Hersteller : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672 Hersteller : ONSEMI FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH