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FDS3572

FDS3572 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS3572 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 2698 Stücke:
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100+3.06 EUR
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500+1.55 EUR
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FDS3572 FDS3572 onsemi / Fairchild FDS3572_D-2312694.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
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2+3.12 EUR
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FDS3572 FDS3572 onsemi FDS3572-D.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 1271 Stücke:
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5+4.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS3572 FDS3572 onsemi FDS3572-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench
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FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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49+5.15 EUR
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FDS3572
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.26 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 189 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
101+1.74 EUR
110+1.54 EUR
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FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3572
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 2698 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
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10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
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FDS3572
Hersteller: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2017 Stücke:
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1+4.61 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
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FDS3572
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 2698 Stücke:
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49+5.15 EUR
76+3.06 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.49 EUR
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FDS3572
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3795 Stücke:
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