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Technische Details FDS3572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDS3572 nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.62 EUR
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 4084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS3572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
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| FDS3572 | Hersteller : ONSEMI |
FDS3572 SMD N channel transistors |
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