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Technische Details FDS3672 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDS3672 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS3672 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
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FDS3672 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V |
auf Bestellung 12140 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS3672 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
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FDS3672 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
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| FDS3672 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS3672-NL | Hersteller : Fairchild |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3672_NL | Hersteller : FAIRCHILD |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3672-NL | Hersteller : FAIRCHILD | SOP8 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3672NL | Hersteller : FSIRCHILD |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3672_NL | Hersteller : FAIRCHIL.. | 07+ SOP-8 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS3672 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
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FDS3672-NL Produktcode: 38205 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDS3672 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS3672 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS3672 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS3672 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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