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FDS3672

FDS3672 ON Semiconductor

fds3672-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS3672 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS3672_D-2312785.pdf MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
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10+2.11 EUR
100+1.45 EUR
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FDS3672-NL FDS3672-NL
Produktcode: 38205
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2412 Stücke:
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS3672 Hersteller : Fairchild fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS3672_NL Hersteller : FAIRCHIL.. 07+ SOP-8
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FDS3672NL Hersteller : FSIRCHILD
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FDS3672-NL Hersteller : FAIRCHILD SOP8 08+
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FDS3672_NL Hersteller : FAIRCHILD
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FDS3672-NL Hersteller : Fairchild
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor 3652179986670369fds3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3672 Hersteller : ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf FDS3672 SMD N channel transistors
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : UMW 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
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FDS3672 FDS3672 Hersteller : UMW 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
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