FDS3890
Produktcode: 49621
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDS3890 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
auf Bestellung 20675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 21618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SO-8 |
auf Bestellung 10586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS3890 | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS3890 | Hersteller : ONS/FAI |
2 N-ChMOSFET, 80 V, 4,7 A, SOIC8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |