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FDS3890

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Produktcode: 49621
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS3890 FDS3890 onsemi fds3890-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.52 EUR
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS3890 FDS3890 onsemi / Fairchild FDS3890_D-2312873.pdf MOSFETs SO-8
auf Bestellung 20675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.84 EUR
100+2.03 EUR
500+1.69 EUR
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FDS3890 FDS3890 onsemi fds3890-d.pdf MOSFETs SO-8
auf Bestellung 10586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.61 EUR
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FDS3890 FDS3890 onsemi fds3890-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS3890 FDS3890 ONSEMI ONSM-S-A0013339601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
65+3.59 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDS3890 FAIRCHILD fds3890-d.pdf SO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS3890
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.52 EUR
5000+1.5 EUR
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FDS3890 FDS3890_D-2312873.pdf
FDS3890
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+2.03 EUR
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MOSFETs SO-8
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10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.61 EUR
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FDS3890
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS3890 ONSM-S-A0013339601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3890
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
65+3.59 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
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Hersteller: FAIRCHILD
SO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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