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FDS4435BZ

FDS4435BZ UMW

476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDS4435BZ UMW

Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi FDS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
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2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
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12500+0.35 EUR
17500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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253+0.57 EUR
308+0.45 EUR
500+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 253
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
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500+0.36 EUR
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FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter)
Produktcode: 45479
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8504409000
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : UMW 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 323 Stücke:
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100+0.46 EUR
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS4435BZ-D.PDF MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
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10+0.79 EUR
100+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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165+0.85 EUR
211+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi FDS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
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11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4435BZ Hersteller : ON-Semicoductor FDS4435BZ-D.PDF 476500aab9f59b1da76fa78cf62f49b7.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH