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FDS4435BZ

FDS4435BZ ON Semiconductor

fds4435bz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS4435BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V.

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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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500+ 0.48 EUR
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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117+ 0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
157+ 0.46 EUR
167+ 0.43 EUR
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI FDS4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
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19+ 1.42 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.7 EUR
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS4435BZ_D-2313190.pdf MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
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41+ 1.29 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.71 EUR
2500+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI 2304326.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ONSEMI 673294.pdf Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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FDS4435BZ Hersteller : ON-Semicoductor FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter)
Produktcode: 45479 		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8504409000
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4435BZ FDS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
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