FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter)
Produktcode: 45479
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
ZCODE: 8504409000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter) nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4435BZ | Hersteller : UMW |
 Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 45288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
FDS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| FDS4435BZ | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |