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FDS4559

FDS4559 onsemi

fds4559-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details FDS4559 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.88 EUR
198+0.71 EUR
241+0.56 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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FDS4559 FDS4559 ONSEMI FDS4559.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
84+0.86 EUR
116+0.62 EUR
131+0.55 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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FDS4559 FDS4559 onsemi fds4559-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 21417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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FDS4559 FDS4559 onsemi fds4559-d.pdf MOSFETs 60V/-60V N/P
auf Bestellung 4812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS4559 FDS4559 ON Semiconductor fds4559-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559 FDS4559 ONSEMI fds4559-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559 FDS4559 ONSEMI 2304388.pdf Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
251+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 251
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FDS4559
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FDS4559
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.88 EUR
198+0.71 EUR
241+0.56 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 165
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FDS4559
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.5/-3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
84+0.86 EUR
116+0.62 EUR
131+0.55 EUR
250+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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FDS4559
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 21417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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FDS4559
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V/-60V N/P
auf Bestellung 4812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS4559
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559 fds4559-d.pdf
FDS4559
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4559 2304388.pdf
FDS4559
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH