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Technische Details FDS4935BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -888, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -888, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -888W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDS4935BZ nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDS4935BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 |
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FDS4935BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS4935BZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M |
auf Bestellung 52459 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: -888W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -888W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS4935BZ | Hersteller : Fairchild |
Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS4935BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS4935BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS4935BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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