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FDS4935BZ

FDS4935BZ onsemi

FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Technische Details FDS4935BZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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2500+0.71 EUR
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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Anzahl Preis
138+1.08 EUR
140+1.02 EUR
181+0.76 EUR
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117+1.27 EUR
138+1.04 EUR
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
84+0.86 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
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84+0.86 EUR
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS4935BZ_D-1808877.pdf MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : onsemi FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS4935BZ FDS4935BZ Hersteller : ON Semiconductor 3659396390398046fds4935bz.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4935BZ Hersteller : FAIRCHILD FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12672 Stücke:
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879+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 879
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FDS4935BZ Hersteller : Fairchild FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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