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FDS5670

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Produktcode: 66965
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.77 EUR
5000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS5670 FDS5670 ONSEMI FDS5670.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.76 EUR
29+2.98 EUR
33+2.64 EUR
50+1.95 EUR
100+1.74 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor fds5670d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.9 EUR
250+1.83 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS5670 FDS5670 onsemi / Fairchild fds5670-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 4732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.12 EUR
100+2.24 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
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FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
auf Bestellung 16454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
50+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
50+4.91 EUR
100+3.24 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.77 EUR
5000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.24 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.76 EUR
29+2.98 EUR
33+2.64 EUR
50+1.95 EUR
100+1.74 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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FDS5670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.9 EUR
250+1.83 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS5670
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 4732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.57 EUR
10+3.12 EUR
100+2.24 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
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FDS5670
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
auf Bestellung 16454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
50+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.4 EUR
50+4.91 EUR
100+3.24 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH