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Technische Details FDS6575 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS6575 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDS6575 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V |
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FDS6575 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V |
auf Bestellung 11678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 P-CH -20V |
auf Bestellung 3051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6575 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS6575 | Hersteller : ONSEMI |
FDS6575 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |