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FDS6575

FDS6575 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details FDS6575 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDS6575 nach Preis ab 0.89 EUR bis 3.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6575 FDS6575 onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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431+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
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FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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431+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
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FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6575 FDS6575 onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
auf Bestellung 11678 Stücke:
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8+2.67 EUR
10+2.17 EUR
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FDS6575 FDS6575 onsemi / Fairchild FDS6575_D-1808560.pdf MOSFETs SO-8 P-CH -20V
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2+3.09 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
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2500+1.09 EUR
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FDS6575 FDS6575 ONSEMI 2304813.pdf Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
431+1.54 EUR
500+1.36 EUR
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FDS6575
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
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431+1.54 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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92+1.9 EUR
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250+1.42 EUR
500+0.9 EUR
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FDS6575
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
auf Bestellung 11678 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.67 EUR
10+2.17 EUR
100+1.69 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6575
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 P-CH -20V
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AnzahlPrivatkunde
2+3.09 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6575
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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74+3.4 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
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