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FDS6670A

FDS6670A Fairchild Semiconductor

FAIRS25119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
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Technische Details FDS6670A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : ON Semiconductor fds6670ajp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : ON Semiconductor fds6670ajp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6670A_D-2313191.pdf MOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : ONSEMI FAIRS25119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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FDS6670A Hersteller : Fairchild fds6670a-d.pdf FAIRS25119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.83 EUR
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : ON Semiconductor fds6670ajp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : ON Semiconductor fds6670ajp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6670A FDS6670A Hersteller : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
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