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Technische Details FDS6670A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDS6670A nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.97 EUR
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 77497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 265173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 44659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 6711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 8036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SO-8 N-CH 30V |
auf Bestellung 16437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 108108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6670A | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6670A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
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| FDS6670A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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