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FDS6673BZ

FDS6673BZ Fairchild

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Produktcode: 109121
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details FDS6673BZ Fairchild

  • Transistor
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:14.5mA
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • On Resistance, Rds(on):0.0078ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS6673BZ FDS6673BZ ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
66+1.1 EUR
77+0.93 EUR
100+0.73 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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FDS6673BZ FDS6673BZ ON-Semiconductor info-tfds6673bz.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi / Fairchild FDS6673BZ-D.PDF description MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.54 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.44 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 7810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
11+1.69 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FDS6673BZ FDS6673BZ ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6673BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1792 Stücke:
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Anzahl Preis
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66+1.1 EUR
77+0.93 EUR
100+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 46
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FDS6673BZ
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 15
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FDS6673BZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.54 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
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FDS6673BZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7710 Stücke:
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10+1.44 EUR
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FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 7810 Stücke:
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11+1.69 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FDS6673BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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