FDS6675BZ ON


fds6675bz52181.pdf
Produktcode: 57036
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ON
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1855/44
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDS6675BZ nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.86 EUR
216+0.81 EUR
240+0.71 EUR
308+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.05 EUR
208+0.83 EUR
216+0.76 EUR
240+0.67 EUR
308+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ON-Semiconductor info-tfds6675bz.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
120+1.95 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
120+1.95 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+0.86 EUR
216+0.81 EUR
240+0.71 EUR
308+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.05 EUR
208+0.83 EUR
216+0.76 EUR
240+0.67 EUR
308+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ info-tfds6675bz.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ 2284482.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
120+1.95 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ 2284482.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.72 EUR
120+1.95 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

MCP6002-I/MS
Produktcode: 213166
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LB1836M
Produktcode: 174858
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
lb1836m-d.pdf
Hersteller: ON
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: MFP-14
Vc, V: 2...9 V
Bemerkung: Motor-/Bewegungs-/Zündungscontroller und -treiber, 2-Kanal-Treiber für Bürstenmotor
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
13 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
infineon-irlml6344-datasheet-en.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9346 St.
  • 9346 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.23 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74HC123D.652
Produktcode: 36603
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
74HC_HCT123-224993.pdf
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Monostabiler Multivibrator Doppel-nachtriggerbar
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+125°C
auf Bestellung: 109 St.
  • 109 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH