Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDS6675BZ
FDS6675BZ

FDS6675BZ ON Semiconductor

fds6675bzd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDS6675BZ nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
281+0.52 EUR
282+0.5 EUR
307+0.44 EUR
309+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 281
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
271+0.54 EUR
291+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.56 EUR
281+0.5 EUR
282+0.48 EUR
307+0.43 EUR
309+0.41 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
825+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 825
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
94+0.77 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
94+0.77 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 17234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.38 EUR
10+1.04 EUR
100+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ
Produktcode: 57036
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : ON fds6675bz52181.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 9062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.55 EUR
17+1.09 EUR
100+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ Hersteller : ON-Semicoductor FDS6675BZ-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ Hersteller : ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH