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FDS6675BZ

FDS6675BZ ON

fds6675bz52181.pdf
Produktcode: 57036
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Hersteller: ON
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1855/44
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.68 EUR
258+0.67 EUR
278+0.61 EUR
279+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.76 EUR
256+0.65 EUR
258+0.63 EUR
278+0.56 EUR
279+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
164+1.05 EUR
210+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bzd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
164+1.02 EUR
210+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.71 EUR
68+1.26 EUR
77+1.12 EUR
101+0.84 EUR
113+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON-Semiconductor info-tfds6675bz.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 14894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.59 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 8896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 5553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
144+1.62 EUR
193+1.11 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 5553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
144+1.62 EUR
193+1.11 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
256+0.68 EUR
258+0.67 EUR
278+0.61 EUR
279+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+0.76 EUR
256+0.65 EUR
258+0.63 EUR
278+0.56 EUR
279+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.34 EUR
164+1.05 EUR
210+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ fds6675bzd.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.34 EUR
164+1.02 EUR
210+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.71 EUR
68+1.26 EUR
77+1.12 EUR
101+0.84 EUR
113+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS6675BZ info-tfds6675bz.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 14894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.56 EUR
10+1.59 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
auf Bestellung 8896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 5553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
144+1.62 EUR
193+1.11 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 5553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
144+1.62 EUR
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MCP6002-I/MS
Produktcode: 213166
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description MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
IC > IC Operationsverstärker
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LB1836M
Produktcode: 174858
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lb1836m-d.pdf
LB1836M
Hersteller: ON
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: MFP-14
Vc, V: 2...9 V
Bemerkung: Motor-/Bewegungs-/Zündungscontroller und -treiber, 2-Kanal-Treiber für Bürstenmotor
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4747 St.
  • 4747 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
10+0.23 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
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74HC123D.652
Produktcode: 36603
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74HC_HCT123-224993.pdf
74HC123D.652
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Monostabiler Multivibrator Doppel-nachtriggerbar
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+125°C
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
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