FDS6675BZ ON
Produktcode: 57036
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44
/: SMD
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote FDS6675BZ nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 125000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 34500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 125000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Gate charge: 35nC On-state resistance: 21.8mΩ Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±25V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bzAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET |
auf Bestellung 10868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS6675BZ | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
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| MCP6002-I/MS Produktcode: 213166
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| LB1836M Produktcode: 174858
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: MFP-14
Vc, V: 2 ... 9 V
Bemerkung: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 2-CH BRUSH MOTOR
-40 ... +85°C
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Gehäuse: MFP-14
Vc, V: 2 ... 9 V
Bemerkung: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 2-CH BRUSH MOTOR
-40 ... +85°C
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLML6344TRPBF Produktcode: 42697
9
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 7401 St.
8 St. - stock Köln
7393 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
7393 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.25 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 74HC123D.652 Produktcode: 36603
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Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Monostable Multi-vibrator DUAL RETRIG
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2…6V
T°C: -40…+125°C
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Monostable Multi-vibrator DUAL RETRIG
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2…6V
T°C: -40…+125°C
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.25 EUR |








