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FDS6675BZ

FDS6675BZ ON

fds6675bz52181.pdf
Produktcode: 57036
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Hersteller: ON
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1855/44
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
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823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
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208+0.84 EUR
216+0.8 EUR
240+0.7 EUR
250+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
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171+1.02 EUR
208+0.81 EUR
216+0.75 EUR
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250+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON Semiconductor fds6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ON-Semiconductor info-tfds6675bz.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
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2+3 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
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1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
143+1.62 EUR
178+1.2 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3153 Stücke:
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100+3.72 EUR
143+1.62 EUR
178+1.2 EUR
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1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 823 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
823+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
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FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+0.84 EUR
216+0.8 EUR
240+0.7 EUR
250+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.02 EUR
208+0.81 EUR
216+0.75 EUR
240+0.64 EUR
250+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
160+1.09 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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FDS6675BZ fds6675bz-d.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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FDS6675BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2860 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
131+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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FDS6675BZ info-tfds6675bz.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDS6675BZ FDS6675BZ-D.PDF
FDS6675BZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 11430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3 EUR
10+1.44 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
143+1.62 EUR
178+1.2 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 3153 Stücke:
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100+3.72 EUR
143+1.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ.pdf
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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MCP6002-I/MS
Produktcode: 213166
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description MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
IC > IC Operationsverstärker
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LB1836M
Produktcode: 174858
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lb1836m-d.pdf
LB1836M
Hersteller: ON
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: MFP-14
Vc, V: 2...9 V
Bemerkung: Motor-/Bewegungs-/Zündungscontroller und -treiber, 2-Kanal-Treiber für Bürstenmotor
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
13 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
erwartet: 8000 St.
  • 8000 St. - erwartet
auf Bestellung: 2724 St.
  • 2724 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.23 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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74HC123D.652
Produktcode: 36603
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74HC_HCT123-224993.pdf
74HC123D.652
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Monostabiler Multivibrator Doppel-nachtriggerbar
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+125°C
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 9 St.
  • 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH