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Technische Details FDS6681Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS6681Z nach Preis ab 1.06 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 92928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
auf Bestellung 16163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6681Z | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |