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Technische Details FDS6681Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.
Weitere Produktangebote FDS6681Z nach Preis ab 1.51 EUR bis 6.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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FDS6681Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681zAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | onsemi |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 14181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 38464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6681Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
auf Bestellung 6734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6681Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.68 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.69 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 2500+ | 1.63 EUR |
| 5000+ | 1.58 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.73 EUR |
| 68+ | 2.38 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.73 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 4.08 EUR |
| 27+ | 3.27 EUR |
| 30+ | 2.88 EUR |
| 50+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 4.19 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.26 EUR |
| 10+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 38464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.53 EUR |
| 10+ | 3.58 EUR |
| 100+ | 2.48 EUR |
| 500+ | 2.06 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.62 EUR |
| 10+ | 3.63 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.52 EUR |
| 59+ | 3.95 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| FDS6681Z |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






