FDS6681Z ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS6681Z ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

Weitere Produktangebote FDS6681Z nach Preis ab 1.51 EUR bis 6.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
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250+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
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FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
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64+2.73 EUR
68+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.08 EUR
27+3.27 EUR
30+2.88 EUR
50+2.14 EUR
100+1.9 EUR
250+1.67 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FDS6681Z FDS6681Z ON-Semiconductor info-tfds6681z.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
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1+5.26 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.96 EUR
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FDS6681Z FDS6681Z onsemi / Fairchild FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 38464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
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FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z-D.PDF Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
59+3.95 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS6681Z fds6681z-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.68 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.73 EUR
68+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3155 Stücke:
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27+3.27 EUR
30+2.88 EUR
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1000+1.51 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
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10+3.42 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 38464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
auf Bestellung 1036 Stücke:
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4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
59+3.95 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH