FDS6690A


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Produktcode: 52356
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6690A FDS6690A UMW c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ON-Semiconductor info-tfds6690a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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FDS6690A FDS6690A UMW c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.3 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
50+1.18 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6690A FDS6690A ONSEMI FDS6690A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6690A c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS6690A fds6690a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A info-tfds6690a.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDS6690A fds6690a-d.pdf c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.51 EUR
10+1.3 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6690A fds6690a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
50+1.18 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS6690A 2304182.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A 2304182.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
132+1.76 EUR
162+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A FDS6690A.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH