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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6898A FDS6898A Fairchild info-tfds6898a.pdf 2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
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FDS6898A FDS6898A onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.83 EUR
7500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI FDS6898A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
69+1.24 EUR
75+1.13 EUR
93+0.93 EUR
101+0.84 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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FDS6898A FDS6898A onsemi / Fairchild FDS6898A-D.PDF MOSFETs SO-8
auf Bestellung 12966 Stücke:
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2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
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2500+0.81 EUR
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FDS6898A FDS6898A onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19890 Stücke:
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7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
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FDS6898A Fairchild/ON Semiconductor FDS6898A.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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FDS6898A
Hersteller: Fairchild
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
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FDS6898A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 17500 Stücke:
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FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
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1000+0.89 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS6898A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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