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FDS6900AS

FDS6900AS ON Semiconductor

fds6900as-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS6900AS ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

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FDS6900AS FDS6900AS Hersteller : ON Semiconductor fds6900as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6900AS FDS6900AS Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6900AS - MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS6900AS FDS6900AS Hersteller : onsemi fds6900as-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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FDS6900AS FDS6900AS Hersteller : onsemi fds6900as-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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FDS6900AS FDS6900AS Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6900AS_D-2312966.pdf MOSFET Dual NCh PowerTrench
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