FDS6930B

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Produktcode: 118461
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6930B_D-1808522.pdf MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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