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FDS6930B

FDS6930B ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7097C35ACC259&compId=FDS6930B.pdf?ci_sign=2f6b44b5c8aa27738b0f0346d34491b4ca7181ba Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
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Technische Details FDS6930B ONSEMI

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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FDS6930B FDS6930B Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7097C35ACC259&compId=FDS6930B.pdf?ci_sign=2f6b44b5c8aa27738b0f0346d34491b4ca7181ba Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6930B_D-1808522.pdf MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
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ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS6930B FDS6930B Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
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